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产品信息
*原厂原装无铅现货，11+，1K/盘■
说明
该*85R1001是FRAM（铁电随机存取记忆体）字在配置芯片的131,072
x 8 bits,使用非易失性铁电形成过程和工艺技术的硅栅CMOS
记忆细胞.
不像SRAM, *85R1001没有能够保留备用电池数据.
内存使用的*85R1001细胞有所*至少10
10
次读/写访问，显着
跑赢闪存和E
2
PROM的耐力.
该*85R1001使用伪- SRAM界面与传统的异步SRAM.兼容
■
特征
位配置: 131,072话x 8bits
读/写耐力: 10
10
倍
工作电源电压: 3.0 V到3.6 V
工作温度范围: -20 °C到+85 °C
48-pin, TSOP (1)塑料包装